石墨盘是一种以高纯度石墨为主要材料制成的圆盘状承载部件，广泛应用于半导体、光伏、LED等对材料性能要求严苛的工业领域。而碳化硅(SiC)涂层石墨盘，则是通过CVD工艺在石墨基座表面形成碳化硅保护层，是MOCVD设备中的核心零部件之一。

一、碳化硅SiC涂层石墨盘表面处理

石墨优异的热导率和稳定性，使其成为MOCVD设备的基座部件材料。但是如果只是纯石墨的话，石墨基座会出现腐蚀掉粉现象。因此，在基座制备过程，生产厂家会通过涂层技术使石磨盘进一步提升性能，符合应用环境和使用要求。

碳化硅SiC材料，具有高的热力学稳定性、良好的导热性、高的电子迁移率、抗氧化、耐腐蚀、与石墨材料相近的热膨胀系数等诸多优异性能，因此是石墨盘表面涂层的主要考虑材料。

碳化硅SiC涂层石墨盘在制备过程中，常用化学气相沉积CVD法，在基材表面发生成碳化硅沉积物。 ‌该工艺制备出的SiC涂层与基体之间结合强度高，涂层均匀性好等优势，但是需要注意基座尺寸越大、涂层厚度越厚，技术难度越高。

二、碳化硅SiC涂层石墨盘主要特性

耐腐蚀性：碳化硅SiC涂层制备的石墨盘，能有效抵抗酸、碱、盐等腐蚀性介质侵蚀，具有高防护效果和稳定性。

抗氧化性：碳化硅SiC涂层制备的石墨盘，可防止其进一步氧化，在高温腐蚀环境中保持结构稳定。

机械性能：碳化硅SiC涂层制备的石墨盘，硬度可达2500-3000 HV，在高压、高速摩擦条件下仍能保持稳定，不易发生变形。

总的来说，碳化硅SiC涂层石墨盘是高温工业制造中的“热管理核心”，其性能直接影响半导体器件的良率与能效。

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